Tweet

ظهرت في نهاية يونيو/حزيران الماضي تكنولوجيا ثورية تدعى " Intel 3D XPoint " من شأنها زيادة إنتاجية الذاكرة بمقدار ألف مرة.
فيما كشف منتدى "2015 Intel Developer Forum " عن منتوج واعد جديد "أنتيل أوبتان" يسمح بإلقاء نظرة إلى المستقبل.
وأفادت شركتا "أنتيل" و"ميكرون" المتعاونتان في مجال تطوير أجهزة التخزين الالكترونية (المخزنات) الفعالة، أفادتا في المنتدى بأنهما اختتمتا تصميم صنف جديد من الذاكرة " Intel 3D XPoint ". وتصف الشركتان هذا الابتكار بأنه أول اختراق جدي منذ عام 1989 حين ظهرت ذاكرة " NAND ".
وتسمح التكنولوجيا المتقدمة الواعدة الجديدة بجعل أجهزة التخزين الالكترونية أسرع بمقدار ألف مرة، حيث تعد وحدة قياس السرعة ليس بالمايكرو/ ثواني، بل بالنانو/ ثواني.
وجاء في بيان صادر عن منتدى "2015 Intel Developer Forum " أن الصنف الجديد من الذاكرة يجمع بين إنجازات تكنولوجيتي" NAND" و" DRAM "، بما فيها السرعة والطاقة المستقلة وتوزع خلايا الذاكرة ، الأمر الذي يجعل سعر " Intel 3D XPoint " رخيصا نسبيا.
وشهد المنتدى اختبارا للذاكرة الجديدة بالمقارنة مع أسرع الذاكرات الاستهلاكية " SSD – Intel P3700 " حيث ظهر فارق بمقدار 5 – 7 أضعاف في تنفيذ عمليات بسيطة. أما في حال التعامل مع المعطيات السحابية الكبيرة فيظهر هناك فارق بمقدار 1000 مرة.
ويتوقع أن تصدر شركة " Intel" منتوجاتها الأولى القائمة على تكنولوجيا " Intel 3D XPoint " عام 2016.